中新网11月24日电 综合韩媒报道，当地时间23日，韩国三星电子表示，最终确定将在美国得克萨斯州泰勒市新建半导体代工厂，负责生产5G等尖端系统半导体。预计投资规模达170亿美元(约合人民币1086亿元)，创三星电子在美投资规模之最。
资料图：图为韩国三星公司的3纳米12英寸晶圆。张亨伟 摄
据报道，当地时间23日，韩国三星电子在美国得克萨斯州州长官邸举行记者会，公布将斥资170亿美元，在得州泰勒市新建半导体晶圆代工厂。
报道指出，这将是三星电子在美国的第二座半导体晶圆代工厂。工厂总面积为500万平方米，将于2022年上半年动工，计划于2024年下半年投入量产。
据介绍，此工厂负责生产5G、高性能计算机(HPC)和人工智能等尖端系统半导体。
针对选址原因，三星电子表示，公司综合考虑新厂与其在美国的奥斯汀工厂的协同效应、半导体生态系统和基建供应稳定性、与地方政府的合作等因素，敲定泰勒市为新厂址。
三星电子还指出，由于新厂距离奥斯汀工厂只有25公里，便于使用既有基础设施。加上得州有许多IT企业和著名大学，有利于吸引顾客和优秀人才。
泰勒市政府也承诺，将向三星电子提供丰厚的优惠。
报道称，从韩国器兴、华城、平泽，到美国奥斯汀和泰勒，三星电子的全球系统半导体生产体系，将更为牢固。
2021年5月，三星电子在美国华盛顿特区举行的“韩美商务圆桌会议”上，发布在美新建晶圆工厂计划，时隔6个月，最终敲定工厂选址。
